0次浏览 发布时间：2025-06-13 08:33:00
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，武汉拓扑晶延半导体科技有限公司申请一项名为“发光器件结构、发光器件结构的制备方法以及显示面板”的专利，公开号CN120152475A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请涉及一种发光器件结构、发光器件结构的制备方法以及显示面板。所述发光器件结构包括：驱动层；发光层，设置于驱动层的一侧；述发光层包括至少一个像素单元组，每个像素单元组包括多个不同色彩的像素单元；不同色彩的像素单元并行排布在发光层；电极层，设置于发光层背离驱动层的一侧；透镜层，设置于电极层背离发光层的一侧。提供了合理的光取出结构，提高了发光器件结构的显示性能，并提高了发光器件结构的制造良率，并且将不同色彩的像素单元拼接在同一平面上，在实现发光器件结构的全彩化功能的基础上，降低了发光器件结构的结构复杂度，从而提高了发光器件结构的制备效率。
天眼查资料显示，武汉拓扑晶延半导体科技有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉拓扑晶延半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自金融界
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